德欧泰克 SI02C065SMB—碳化硅MOSFET专用强化短路保护方案

? ? ?随着新能源汽车、太阳能逆变器及通信基础设施领域对高效高频电力电子的需求激增，碳化硅MOSFET已成为新一代设计的核心元件。然而相较于IGBT（短路耐受时间~10μs），其更短的短路耐受时间（短路耐受时间~2μs）急需超高速保护方案。德欧泰克半导体最新产品正是为此应运而生。

? ? SI02C065SMB是一款采用紧凑型DO-214AA（SMB）封装的2A/650V碳化硅肖特基二极管，专为碳化硅MOSFET短路保护中的退饱和检测电路设计。

核心特性：

-2A平均正向电流(IFAV)

-650V可重复反向电压(VRRM)

-2A/25℃条件下最大正向电压1.6V(VF)

-650V/25℃条件下最大反向漏电流50μA(IR)

-400V/2A/-200A/μs条件下总电容电荷5nC(QC)

-DO-214AA封装规格

理想应用场景：

-汽车辅助电源模块

-光伏逆变系统

-通信电源设备

凭借低开关损耗与高耐反向电压特性，SI02C065SMB成为现代碳化硅(SiC)系统中实现高速可靠保护的理想之选。