HCB1075N系列是DELTA(台达)专为高电流密度应用打造的高性能表面贴装(SMT)功率电感器,采用铁氧体磁芯与多层平绕结构,支持280A额定电流及100μH标称电感量,具备高频低损耗、耐高温(125℃)和强抗电磁干扰能力,广泛应用于DC-DC转换器、DC-AC逆变器及服务器、显卡、5G通信等高功率电源模块,以紧凑贴片封装实现高效能量转换与稳定供电。
核心参数
电气性能
额定电流:280A。
电感值:100μH(部分型号允许误差±15%)。
工作频率:支持高频应用(100kHz测试条件),感抗XL为24.8Ω,品质因数Q为12。
温度范围:-40℃至125℃。
结构与材料
磁芯与绕线:采用铁氧体磁芯与多层平绕式绕线结构,磁芯线圈设计优化磁通密度,降低漏磁。
封装形式:贴片功率电感封装,磁芯形状为罐形,骨架材料为合金粉末,提升散热性能。
屏蔽特性:内置屏蔽层,减少电磁干扰(EMI),适合高密度电路布局。
制造工艺
高压成型技术:磁性树脂材料(磁性粉末+热固性树脂)通过高压成型包裹线圈,提升结构强度与可靠性。
电极设计:工体结构采用“工字型”截面,线圈端子通过激光剥皮露出,并覆盖锡镀层或焊料形成稳定电极面。
主要特点
高电流能力:饱和电流(Isat)最高达?94 A,有效电流(Irms)最高达?76 A。
低轮廓设计:高度仅?7.5 mm,适用于超薄电源设计。
磁屏蔽结构:闭合磁路设计,显著降低?EMI,减少对周边元件干扰。
低直流电阻:DCR?低至?0.29 mΩ,有效降低导通损耗,提高系统效率。
环保合规:符合?RoHS?环保标准。
应用场景
高功率计算设备
l?显卡与服务器主板:HCB1075N系列电感器广泛应用于显卡(如AMD/NV系列)及服务器主板,支持大电流低感值需求,确保电源转换效率。
l?CPU/GPU供电:组合式大功率设计可替代传统分立电感,减少PCB占用空间,提升功率密度。
工业与通信领域
l?5G通信基站:高频大功率特性满足基站电源模块需求,稳定支持高负载运行。
l?工控板与矿机:耐高温、抗振动设计适应工业环境,保障长期稳定性。
优势总结
高电流承载能力:280A额定电流远超常规电感,满足极端功率需求。
高频低损耗:铁氧体磁芯与优化绕线结构降低直流电阻(Rdc),提升Isat值(饱和电流)。
小型化设计:贴片封装与紧凑结构(如HCB1075N-211尺寸仅需少量PCB空间)助力设备轻薄化。
系列规格
| 型号 | 电感量?L (μH) | 直流电阻?DCR (mΩ) | 饱和电流?Isat (A) | 额定电流?Irms (A) | 尺寸?L×W×H (mm) | 
| HCB1075N-121 | 0.115 | — | — | — | 10.4×8.0×7.5 | 
| HCB1075N-151 | 0.150 | — | 94 | 76 | 10.4×8.0×7.5 | 
| HCB1075N-181 | 0.175 | — | 72 | 59 | 10.4×8.0×7.5 | 
| HCB1075N-211 | 0.215 | 0.29 | 62 | 50 | 10.4×8.0×7.5 | 
| HCB1075N-231 | 0.230 | — | 48 | 39 | 10.4×8.0×7.5 | 
| HCB1075N-271 | 0.270 | — | 43 | 35 | 10.4×8.0×7.5 | 
| HCB1075N-311 | 0.310 | — | 37 | 30 | 10.4×8.0×7.5 | 
								
								
								
944