芯耀
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“不同于今年7月的消息，路透社称长鑫存储 IPO 估值将达到 3000 亿元人民币，并将扩大投资以追赶韩国海力士和三星。”
据路透社报道，中国内存芯片制造商长鑫存储技术计划最早于明年第一季度在上海进行首次公开募股，目标估值高达 3000 亿元人民币（421.4 亿美元）。
消息援引两位知情人士的话称，长鑫存储计划通过此次发行筹集 200 亿至 400 亿元人民币，还有另外的消息人士表示，该公司计划筹集约 300 亿元人民币，并可能最早于 11 月向投资者公布其招股说明书。
不过，由于该计划尚未公开 IPO 的细节，最终的 IPO 时间表、发行规模和估值等可能会发生变化。
作为长鑫科技的全资子公司，长鑫存储是国内唯一实现大规模量产通用型 DRAM 的 IDM 企业。
公司已推出多款 DRAM 商用产品，涵盖 DDR4/DDR5、LPDDR4/LPDDR5 系列，广泛应用于移动终端、电脑、服务器、虚拟现实和物联网等领域。
2023 年 11 月 28 日，长鑫存储正式推出 LPDDR5 系列产品，成为国内首家推出自主研发生产的 LPDDR5 产品的品牌。
根据 TrendForce 的数据，2025 年第一季度，全球 DRAM 市场由 SK 海力士、三星和美光主导，三者合计占据全球市场逾九成份额，长鑫存储市场份额为 6%，预计 2025 年其 DRAM 出货量将同比增长 50%，市场份额提升至 8%，成为全球增长最快的存储芯片厂商。
早在今年7月，就有消息传出长鑫存储母公司长鑫科技集团股份有限公司已披露上市辅导备案，正式启动IPO进程。
据当时的消息，长鑫科技 2024 年 3 月最新一轮融资估值为1508 亿元，7 月启动 IPO 时，目标估值已超 1500 亿元，若成功上市，长鑫科技有望成为A股“存储芯片第一股”。
路透社称，中国半导体股票飙升，基准 CSI CN 半导体指数今年至今上涨约 49%，长鑫的 IPO 计划正是在这样的背景下出现。
“长鑫已经在为首次公开募股做准备，并聘请了中国国际金融股份有限公司和中信建投证券股份有限公司。”
路透社还预计，长鑫 IPO 将吸引很多国内投资者。长鑫正通过大力投资，以追赶市场领导者，如韩国 SK 海力士和三星，尤其是在高带宽内存方面。
报道援引加拿大研究公司 TechInsights 的数据表示，长鑫的资本支出据估计在 2023 年和 2024 年约为 60 亿至 70 亿美元，预计 2025 年还将增长 5%。
该公司在上海建设 HBM 后端封装工厂，并计划明年年底开始生产，初始的 HBM 晶圆月产量约为 3 万片，略低于韩国 SK 海力士的五分之一。
此外，长鑫还计划于 2026 年开始大规模生产第四代高带宽内存或 HBM3 芯片。
作为对比，SK 海力士在今年 9 月份表示，已完成 HBM4 芯片的内部认证流程，并计划在今年年底前完成大规模生产的准备工作。
