ARCHIVED - A2I25D012NR1, A2I25D012GNR1 2300-2690 MHz, 2.2 W Avg., 28 V Airfast<sup>?</sup> RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers - Data Sheet

2023/04/25 作者：恩智浦

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ARCHIVED - The A2I25D012N wideband integrated power amplifier is optimized to function with a single multi-band circuit usable from 2300 to 2690 MHz.

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恩智浦半导体创立于2006年，其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部，总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案，实现智慧生活，安全连结。

恩智浦半导体创立于2006年，其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部，总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案，实现智慧生活，安全连结。收起

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