MMRF1007HR5, MMRF1007HSR5 965-1215 MHz, 1000 W, 50 V Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFETs - Data Sheet

2023/04/25 作者：恩智浦

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MMRF1007HR5, MMRF1007HSR5 965-1215 MHz, 1000 W, 50 V Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFETs - Data Sheet

The MMRF1007HR5 and MMRF1007HSR5 are RF power transistors designed for applications operating at frequencies between 900 to 1215 MHz. These devices are suitable for use in defense and commercial

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恩智浦半导体创立于2006年，其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部，总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案，实现智慧生活，安全连结。

恩智浦半导体创立于2006年，其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部，总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案，实现智慧生活，安全连结。收起

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