ARCHIVED - MRF6VP21KHR6 10-235 MHz, 1000 W, 50 V Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET

2023/04/25 作者：恩智浦

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ARCHIVED - MRF6VP21KHR6 10-235 MHz, 1000 W, 50 V Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET

Designed primarily for pulsed wideband applications with frequencies up to 235 MHz. Device is unmatched and is suitable for use in industrial, medical and scientific applications.

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恩智浦半导体创立于2006年，其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部，总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案，实现智慧生活，安全连结。

恩智浦半导体创立于2006年，其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部，总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案，实现智慧生活，安全连结。收起

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