MRFE6S9130HR3, MRFE6S9130HSR3 880 MHz, 27 W Avg., 28 V Single N-CDMA Lateral N-Channel RF Power MOSFETs

2023/04/25 作者：恩智浦

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MRFE6S9130HR3, MRFE6S9130HSR3 880 MHz, 27 W Avg., 28 V Single N-CDMA Lateral N-Channel RF Power MOSFETs

Designed for N-CDMA, GSM and GSM EDGE base station applications with frequencies from 865 to 960 MHz. Suitable for multicarrier amplifier applications.

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恩智浦半导体创立于2006年，其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部，总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案，实现智慧生活，安全连结。

恩智浦半导体创立于2006年，其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部，总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案，实现智慧生活，安全连结。收起

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