MRFE6S9060NR1 880 MHz, 14 W Avg., 28 V, Single N-CDMA Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET

2023/04/25 作者：恩智浦

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MRFE6S9060NR1 880 MHz, 14 W Avg., 28 V, Single N-CDMA Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET

Designed for broadband commercial and industrial applications with frequencies up to 1000 MHz. The high gain and broadband performance of this device makes it ideal for large-signal, common-source

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恩智浦半导体创立于2006年，其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部，总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案，实现智慧生活，安全连结。

恩智浦半导体创立于2006年，其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部，总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案，实现智慧生活，安全连结。收起

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