场效应晶体管的工作原理及应用电路

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场效应管〔Field Effect Transistor—FET〕是单极型晶体管，与双极型晶体管B」T都属于晶 体管〔Transistor〕。在双极型晶体管中，载流子包含电子运动，也包含空穴运动，像双重合 力一般流向两个极；而在场效应管中，只有一种载流子运动，或者电子或者空穴，流向一 个极，因此叫单极型晶体管。
单极型的场效应管虽然诞生较晚，但从它一出世，就以其自身固有的优点，比如低噪 声、高阻低功耗、热稳定性好等，展开了与双极型管的殊死搏斗，两者都能实现放大功能 和开关功能，因此在哪些场合用什么，就成了必须讨论的问题。首先在处理器中，也就是 数字领域，FET中的一类叫MOSFET ,以其极低的功耗吸引了科学家和投资者，这使得 MOSFET在初选中就赢得了先机，它的缺点也就被科学家和投资者一一克服。现在的处理 器，全部使用MOSFET实现，在此领域FET完胜对手。在运算放大器、模数转换器、电源 模块等模拟器件中，原本属于双极型晶体管的阵地，现在也开始逐步拱手想让。因此，越 来越多的用人单位，开始要求高校加大对FET的讲解力度。
虽然如此，双极性晶体管仍有其固守阵地的资本，比如超高频、电流放大能力强、价 格便宜、电路成熟、会用的人多，以及其它细微的特点。总之，我们固有的观念一天天被 打破——小个子跳高得了冠军——我们不断见到一个个原本属于双极型晶体管优势应用的 场合，被FET占领。但至少现在，仍不是宣布BJT消亡的时刻。