助力高级光刻技术：存储和运输EUV掩模面临的挑战

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随着半导体行业持续突破设计尺寸不断缩小的极限，极紫外 (EUV) 光刻技术的运用逐渐扩展到大规模生产环境中。对于 7 纳米及更小的高级节点，EUV 光刻技术是一种能够简化图案形成工艺的支持技术。要在如此精细的尺寸下进行可靠制模，超净的掩模必不可少。

与所有掩模一样，用于 EUV 光刻的掩模依靠掩模光罩盒实现安全存储，以及保护它们免受光刻图案形成、检测、清洁和修复的影响。防护光罩盒必须能够使用多年，而且不会造成有害的污染或物理损坏。

专为 193 纳米沉浸式光刻而设计的光罩盒无法为 EUV 掩模提供足够的保护。EUV 光刻的独特要求对光罩盒提出了额外的限制条件和要求，使得 EUV 掩模光罩盒成为一种具有多个关键元件且高度专业化的设备。

本文介绍了为 EUV 光刻设计光罩盒所面临的内在挑战， 并提出了解决方案以便让更多晶圆厂能够在其工厂中采用先进的光刻节点。

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