新鲜出炉的 小型开关电源（AC-DC）PCB

power_lol

最近闲的没事，做个练练手...给大家分享下


(原文件名:AC-DC_PCB.jpg) 试验玩的没考虑安规要求，有大侠指出立马修改...


(原文件名:AC-DC_PCB2.jpg) NCP1013AP100 用EE16磁芯的，本次做的变压器5W的，12V/0.25A 5V/0.4A ,

两组隔离的5V稳压输出(TL431稳压反馈)，12V隔离非稳压,也可以使用R7链接共地。

我使用5V供电给AVR的，12伏用于其他驱动的
用轮廓画线，块填充的

以下是反激电源设计的两个表格，是我的设计实例：
一个是电源网上很火的一个:点击此处下载 ourdev_604828J4XOL4.xls(文件大小:40K) (原文件名:反激计算-电源网.xls)  
另一个是这里一个“阿力”的网友贡献的，我小修改了下增加了反射电压结果显示。点击此处下载 ourdev_604829TCEAFK.xls(文件大小:26K) (原文件名:反激计算-阿力.xls)  
点击此处下载 磁芯数据表ourdev_604830CA1GLR.xls(文件大小:1.70M) (原文件名:磁芯数据.xls)  

声明：只是小功率反激电源，工作在DCM模式下的方法。希望大家能去看看电源网那个帖子，自己系统推导下公式，就明白了。下面谈下自己刚入门时容易迷惑的要点：

关键词：D 占空比，Vf 反射电压， T工作周期， 初级绕组NS, 次级绕组NP  
        Vout 输出电压，Vd 输出二极管压降， Vs初级最小直流电压，L 初级电感

要点1；DCM模式设计是取最小电压输入、最大占空比、最大输出负载为计算条件的。
       所以我们首要就是确定你的最小输入交流电压Vac，然后乘以1.2 – 1.4(决定你的滤波电容大小)得到最小输入直流电压Vs。

要点2；占空比D，取多少呢？工作在DCM模式，要求最大占空比D小于0.5，为什么呢？好像涉及到反馈回路补偿问题，
       大家看系统文章吧，本人是个应用派，就记住小于0.5没问题。 但是也不能过小，那样你的电源输出功率和效率就低了，
       甚至引起MOS管发热，我一般取0.40– 0.48。

要点3；反射电压Vf ，什么是反射电压，这个我一开始也迷惑很久，大概这样理解，MOS导通时，初级绕组有电流流过开始蓄能，
       当T*D时间结束，则能量向次级转移输出，反射电压Vf就是次级绕组在向次级整流之后的输出电容转移能量时，把次级输出的电  
       压按照初次级绕组的匝数比关系反射到初级侧绕组的电压，其数值Vf=(Vout+Vd)/(NS/NP) 这个是个理解性质的公式，设计初期
       没有使用帮助。

       我们再由能量守能推导下：
       初级绕组相当于一个电感，当MOS导通时，电流会线性上升而储能，上升的电流 Ir = Vs * T * D / L ,当MOS截至时，初级能量
       耦合到次级输出，则电流又会线性下降，下降的Id = Vf * T * (1-D) / L ，此处的Vf就要用上面的理论理解了（此处Vs应减去
       MOS压降，由于其与Vs过小而忽略了）。

       由能量守恒得：Ir = Id
       得：Vs * T * D / L = Vf * T * (1-D) / L
       得：D = Vf / (Vf + Vs)
       同样可得：Vf  =  Vs * D / (1-D)
       由此大家看到了，D 和 Vf 是两个相关的系数。
       其实有了MOS管耐压就可得出最大允许Vf，
       例如一个MOS最大700V, 输入电源最大直流电压370V时，使用时考虑到安全取80%耐压，
       则允许最大Vf = 700 * 0.8 – 370 = 190V 。

要点4； 效率，什么地方消耗了？主要是输出整流二极管的压降带来的损耗、变压器漏感带来的损耗。

要点5； Bac选择，决定最大磁感应强度，理论可以取0.2 – 0.3，关系到初级线圈匝数。
        国产磁芯最好0.24左右，别太大，国产的磁芯肯定比不过TDK的，容易发热。