GaAS Pin diode选择合适的射频开关（一）
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11#
lltt4529854
发表于 2008-7-19 15:32:36
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只看该作者
回复:GaAS？Pin diode？选择合适的射频开关（一）
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Pin 开关的性能更好吧,常用于微波混合集成电路，GaAS开关常用于单片电路中。 |
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12#
1413zhaoj
发表于 2008-7-29 10:33:46
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只看该作者
RE:GaAS？Pin diode？选择合适的射频开关（一）
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功率太大,开关隔离度下降,插损变大.产品手册给的P1dB是多少? |
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13#
toxotae
发表于 2008-9-1 12:45:43
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RE:GaAS？Pin diode？选择合适的射频开关（一）
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14#
qiyan307
发表于 2008-9-10 10:01:16
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只看该作者
RE:GaAS？Pin diode？选择合适的射频开关（一）
不错，如果能拿一个实际的产品来讨论就更好了。 |
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15#
cdcharles
发表于 2008-10-30 14:46:26
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RE:GaAS？Pin diode？选择合适的射频开关（一）
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功率大了，开关的性能肯定是要变化的，GaAs开关适合小功率下工作 |
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16#
leopoldhuang
发表于 2008-12-19 08:42:04
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RE:GaAS？Pin diode？选择合适的射频开关（一）
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17#
wjq041
发表于 2009-1-12 12:02:09
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RE:GaAS？Pin diode？选择合适的射频开关（一）
GaAS：砷化镓开关，其作为开关的本质等效为电压控制的可变电阻，沟道的夹断或者导通决定着信号的通断。由于其属于耗尽型FET，所以需要使用负压驱动栅极（此时源极接地），当Vgs0时，FET沟道畅通（D和S极短路）。例如：在上图中，VA=-5V、VB=0V时：左边并联FET断开、左串联FET导通、右串联FET断开、右并联FET导通，信号从RFC to RF1；VA、VB反过来，则反之。
砷化镓开关，具有优良的ip3、隔离度特性，使其大量运用在需要高隔离、低插损、线性度要求较高的射频电路中。
缺点是：
需要负压驱动，虽然可以通过ASIC（专用驱动电路）或74HC等TTL\COMS器件，使用负压反接供电，产生负的逻辑电平驱动，总之还是增加了复杂度和成本。
为了克服这一缺点，许多厂家均推出正压驱动（控制）的砷化镓开关，其原理是将S极直流接正压约=开关供电电压VDD（+值），这样就必须用正压驱动栅极。但开关的RF脚必须接电容隔直。此做法方便了工程师设计，不需要在电路中引入负压，即可控制砷化镓开关，但是影响了开关的响应速度，你会发现负压控制的砷化镓开关其典型响应时间 |
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18#
Rowan
发表于 2009-3-18 13:06:10
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RE:GaAS？Pin diode？选择合适的射频开关（一）
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pin diode比较好，我们现在的产品U/V段都用这种 |
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19#
lzheng1984 该用户已被删除
发表于 2009-4-22 13:31:17
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20#
xiaobaicai-57027
发表于 2009-6-14 21:48:07
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RE:GaAS？Pin diode？选择合适的射频开关（一）
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