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话题活动:发表GaN想法和感受,即可获得大奖(绝壁公正)

 

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31#

Royliang

发表于 2016-7-17 14:20:10 | 只看该作者

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在许多高频应用以及所有低频应用(除对成本最为敏感的应用之外)中,基于GaN的器件已经在很大程度上取代了砷化镓(GaAs)和硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件。
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32#

Royliang

发表于 2016-7-17 14:20:11 | 只看该作者

在许多高频应用以及所有低频应用(除对成本最为敏感的应用之外)中,基于GaN的器件已经在很大程度上取代了砷化镓(GaAs)和硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件。
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33#

Royliang

发表于 2016-7-17 14:20:33 | 只看该作者

过去几年中,100 mm GaN的成本已大幅下降,而计划中的150 mm(6英寸)晶圆过渡方案还会进一步降低成本。
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34#

sayuenala

发表于 2016-7-17 14:20:55 | 只看该作者

Qorvo 不断扩展低成本 QFN 塑料封装 GaN 的范围,现已包含适用于船舶和航空电子雷达的 X 波段晶体管。
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35#

sayuenala

发表于 2016-7-17 14:21:08 | 只看该作者

由于 GaNg 在大小、重量和功率效率方面具备的优势,雷达制造商可将磁控管更改为固态功率放大器 (SSPA) 和雷达阵列,从而生产出更小且更高效的雷达系统。
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36#

ludakailu

发表于 2016-7-17 14:21:22 | 只看该作者

过去几年发布的GaN器件既有分立式场效应晶体管(FET),也有单芯片微波集成电路(MMIC),它们已广泛用于高功率微波放大器系统。
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37#

ludakailu

发表于 2016-7-17 14:21:36 | 只看该作者

Qorvo 出色的 GaN 解决方案已通过严格的热量和水分压力测试,因此产品可在严苛的环境下工作,这也为雷达制造商增添了信心。
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38#

Tom Chen

发表于 2016-7-17 14:21:52 | 只看该作者

TGF2977-SM、TGF2978-SM 和 TGF2979-SM 是设计在 8-12GHz 频率波段中工作的优质 GaN 晶体管。
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39#

kaierwen

发表于 2016-7-17 14:22:06 | 只看该作者

相比栅极宽长度更宽长(如0.5 ?m)的GaN工艺,0.25 ?m GaN拥有更高的增益和工作频率。
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40#

植物大战奥特曼

发表于 2016-7-17 14:22:29 | 只看该作者

Qorvo 业界领先的 GaN 技术与小型封装共同保证了高线性增益和功率效率。
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