话题活动：发表GaN想法和感受，即可获得大奖(绝壁公正）

liuxi · 发表于 2016-7-23 22:08:58

GaN的电学特性是影响器件的主要因素。未有意掺杂的GaN在各种情况下都呈n型,最好的样品的电子浓度约为4×1016/cm3。一般情况下所制备的P型样品，都是高补偿的。

liuxi · 发表于 2016-7-23 22:09:04

GaN材料的生长是在高温下，通过TMGa分解出的Ga与NH3的化学反应实现的

liuxi · 发表于 2016-7-23 22:09:10

氮化镓半导体，让我们的生活提高了不止一个档次，它间接的推动了我们的智能生活，让我们在互通互联世界，就算远离他乡，也不能阻挡我们之间的联系。给我们规避各种不可预知的风险，

Fankar · 发表于 2016-7-23 22:09:21

GHz以上的宽带应用，ADI公司也开发了一款GaN放大器，其可在2 GHz到18 GHz频段产生50 W连续波(CW)输出功率。这款放大器采用商用10 W GaN MMIC，其输出功率贡献通过宽带低损耗功率合成器加以合并。

Fankar · 发表于 2016-7-23 22:09:29

当峰值放大器匹配至功率比为2:1时，在45 dBm平均输出功率条件下，预期设计性能为14 dB的增益和55%的效率。

Fankar · 发表于 2016-7-23 22:09:36

随着更多GaN半导体供应商转向更大尺寸的晶圆，以及每片晶圆的良品率持续提高，将来此类放大器的单位成本有望降低。

Fankar · 发表于 2016-7-23 22:09:45

设计非对称型Doherty功率放大器时必须格外谨慎，要确保Doherty功率放大器的AM-AM和AM-PM响应平滑且单调，这是配合DPD使用时的必要条件。

RM爱好者 · 发表于 2016-7-23 22:09:57

ADI公司的“比特转RF”计划将整合公司在基带信号处理和GaN功率放大器(PA)技术方面的优势。通过使用预失真和包络调制等技术，这种整合将有利于提高PA线性度和效率。

RM爱好者 · 发表于 2016-7-23 22:10:08

恒值线在20 W平均功率（天线端）参考设计中同样采用了非对称型Doherty架构。

RM爱好者 · 发表于 2016-7-23 22:10:15

扩大GaN在高功率应用中的使用的主要障碍是其制造成本相对较高，通常比GaAs高出两到三倍，比Si LDMOS器件高出五到七倍。这阻碍了它在无线基础设施和消费者手持设备等成本敏感型应用中的使用。

站长推荐 /3