《CMOS技术中的闩锁效应——问题及其解决方法》

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《CMOS技术中的闩锁效应——问题及其解决方法》
目录
1.引言
2.闩锁的概述
? 2.1 结构上的起因和集总元件模型
? 2.2 举例。悬空N阱结构中的闩锁问题
3.闩锁问题的描述
? 3.1 阻塞态和闩锁态
? 3.2 闩锁产生的必要条件
? 3.3 触发方式
? 3.4 触发方式分类
4.闩锁模型及分析
? 4.1 早期的闩锁模型
? 4.2 PNPN集总元件模型的发展
? 4.3 闩锁的物理分析
? 4.4 安全区-阻塞态的严格定义
? 4.5 饱和区模型
? 4.6 闩锁的图解说明
? 4.7 集总元件模型的修正
? 4.8 动态闩锁效应
5.闩锁特性的测量
? 5.1 测量仪器
? 5.2 两端特性的测量
? 5.3 三端和四端特性的测量
? 5.4 开关转换点特性的测量
? 5.5 保持点特性的测量
? 5.6 动态触发
? 5.7 温度关系
? 5.8 非电探针测量
? 5.9 闩锁特性测量总结
6.闩锁的防止
? 6.1 版图设计布局规则
? 6.2 破坏双极特性的工艺技术
? 6.3 双极去耦工艺技术
? 6.4 CMOS的设计考虑
? 6.5 无闩锁的设计
7.总结

附件?闩锁效应.rar (3.34 MB)