CMOS工艺中GG_NMOS结构ESD保护电路设计

caroline11

摘要 : 采用 GG2NMOS 结构的 ESD 保护电路的工作原理和对其进行的 ESD 实验 ,提出了一种保护电路的栅耦合技术方案 ,并达到了预期效果. 通过实验可以看出其性能达到了人体放电模式的 2 级标准. 在模拟的基础上可确定损伤的机理和位置 ,从而给出了由 ESD 导致的栅氧化层损伤的微观机制.