CMOS集成电路中ESD保护技术研究

caroline11

摘 要 :分析 ESD 失效的原因和失效模式 ,针对亚微米 CMOS 工艺对器件 ESD 保护能力的降低 ,从工艺、器件、电路三个层次对提高 ESD 保护能力的设计思路进行论述。工艺层次上通过增加 ESD 注入层和硅化物阻挡层实现 ESD 能力的提高 ;器件方面可针对电路的特点 ,选择合适的器件(如 MOS ,SCR ,二极管及电阻) 达到电路需要的 ESD 保护能力 ;电路方面采用栅耦和实现功能较强的 ESD 保护。