ESD保护器件GGNMOS二次击穿前的建模

caroline11

摘 要 : 基于 ESD 应力下 GGNMOS 的工作特性 ,从 GGNMOS 的内部物理过程 ,推导建立了二次击穿前 GGNMOS 的器件级模型 ,并给出了相应的参数提取方法 ;实现了输入工艺参数等到模型中 ,即可仿真 GGNMOS 二次击穿前的 I2V 特性。通过与 TL P 实际测试结果的比较 ,证实了所推导模型的可行性。