采用90nmCMOS工艺的低功耗VCO

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比利时的大学校际微电子中心(IM EC) 的研究人员以及瑞典的同行采用 9012nm 硅 CMOS 工艺开发出低功率压控振荡器(VCO) 。这些低功耗压控振荡器达到高性能的关键是采用了基于圆片级封装技术的高 Q 值电感器。他们制作出两个 5 GHz VCO 和一个 15 GHz VCO。两个 5 GHz VCO 的功耗仅 0. 33 mW ,1MHz 频偏下的相噪分别为 - 115 dBc/ Hz 和 - 111 dBc/ Hz ,调频范围分别为 148MHz 和 621 MHz ;15 GHz VCO 的功耗仅 2. 76 mW ,1 MHz 频偏下的相噪为 105dBcΠHz ,调频范围为 469 MHz。据悉 ,上述 VCO 是迄今报导的 5 GHz 和 15 GHz集成 CMOS LCVCO 中品质因素最好、功耗最小的。