多相位低相位噪声5GHz压控振荡器的设计

caroline11

采用 TSMC 0. 18μmCMOS 工艺实现了全差分相位差为 450 的 L C 低相位噪声环形压控振荡器电路。芯片面积 1. 05 mm ×1. 00 mm。