台积电2025 技术论坛新闻发布会纪要

一、整体战略定位：AI驱动的半导体新时代

1.1 核心观点：人工智慧（AI）正从云端扩散到边缘

AI 早期主要集中在资料中心（Data Center），如 GPT 模型训练。

台积电指出：AI 将无处不在（边缘 AI、终端设备、自动驾驶、机器人等）。

推动高性能运算（HPC）、智慧手机、汽车电子、物联网的晶圆需求快速成长。

1.2 市场预测（到2030年）：

全球半导体市场规模将达?1兆美元

其中：

HPC与AI：占比?45%

智慧手机：25%

汽车电子：15%

物联网：10%

其他：5%

二、先进制程技术蓝图

2.1?A14 节点（预计2028年量产）

技术特点：

第二代奈米片电晶体（Nanosheet Transistor）

间距微缩（更紧凑布局，提升PPA）

创新元件架构 +?纳米柔性技术（提升效能与电源效率）

预计成果：

开发进度优于预期，良率已达标

超级动力轨道版本（2029）：进一步强化供电能力

2.2?A16 节点（预计2026年量产）

技术特色：

使用超级供电轨（Super Power Rail, SPR）

背面供电（Backside Power Delivery）：降低IR压降，增加密度

针对资料中心/HPC应用进行优化

2.3?N2系列（2025年下半年开始量产）

N2：首个大规模采用奈米片结构的量产节点

256Mb SRAM 平均良率超过90%

适合节能运算与行动装置

N2P（2026下半年）：比N2更省电、效能更强

N2X（2027）：专为极致效能设计，频率提升约10%

客户采用情况：

HPC/AI 导入速度快，第二年 NTO 数是 N5 的?约4倍

2.4?N3系列：FinFET 技术的巅峰与终结

N3E：已量产，良率佳，用于旗舰手机、HPC、AI

N3P（2024 Q4量产）：N3E的继任版本

N3X：专为高频CPU

N3A：车用等级

N3C：入门级产品

N3 系列是最后一个 FinFET 家族，生命周期长，适用广泛

三、先进封装与系统整合技术（3DFabric?）

3.1 3D封装家族（台积电-SoIC?, CoWoS?, InFO?）

SoIC?：3D晶片堆叠技术，提升效能与带宽

N3叠N4（6um间距）→ 2025量产

A14叠N2 → 2029量产

2022年已量产

未来：

CoWoS? / InFO?：适用于高带宽记忆体（HBM）与逻辑晶片整合

SoW（System on Wafer）：

晶圆级系统整合方案（SoW-X技术预计2027）

用于AI高速传输与逻辑密集运算（如H100、B200等AI芯片架构）

四、电源供应与系统能效

4.1 集成式电源解决方案（AI领域专用）

AI 功耗快速上升，运算单元进入千瓦级（kW）

台积电提出单晶片PMIC + 电感方案，电源密度为传统PCB的5倍

CoWoS-L中的eDTC/DTC技术：帮助滤波，稳定供电

五、新兴应用支援：AR、机器人

AR/VR设备需“轻薄高效”，台积电提供高密度系统集成平台

人形机器人未来对高密度晶片的需求将非常强烈

台积电布局高密度供电、高速运算、整合AI加速器与记忆体

总结：台积电技术演进路线图（2024-2030）

年份	技术节点与封装	应用领域
2024	N3P、CoWoS-L、电源滤波	手机、HPC、AI
2025	N2、SoIC N3叠N4	资料中心、边缘AI
2026	N2P、A16	芯片密度提升、背供电
2027	N2X、SoW-X	AI高性能整合系统
2028	A14	新架构 + 纳米柔性电晶体
2029	A14超级轨道版、SoIC A14叠N2	终极AI芯片整合
2030	晶圆级系统、高密度供电方案成熟	人形机器人、AR