半导体制造常用电子气体分类汇总

在半导体制造过程中，不同工艺环节会使用到种类繁多的电子气体。依据其用途可将这些气体大致划分为以下几类：

一、掺杂气

掺杂气体主要用于离子注入或扩散工艺中，将特定杂质（如P、B、As等）掺入半导体基体内，以调控其电学性能。常见的掺杂气体包括：

AsH?（砷烷）PH?（磷烷）GeH?（锗烷）B?H?（二硼烷）AsCl?（三氯化砷）AsF?（三氟化砷）H?S（硫化氢）BF?（三氟化硼）BCl?（三氯化硼）SeH?（硒化氢）SbH?（锑烷）(CH?)?Te（二甲基碲）(CH?)?Cd（二甲基镉）(C?H?)?Cd（二乙基镉）PCl?（三氯化磷）(C?H?)?Te（二乙基碲）

二、晶体生长气

晶体生长气体用于外延层或ALD的生长反应。常见气体有：

SiH?（硅烷）SiH?Cl?（二氯硅烷）SiHCl?（三氯硅烷）SiCl?（四氯化硅）B?H?（二硼烷）BBr?（三溴化硼）BCl?（三氯化硼）AsH?（砷烷）PH?（磷烷）GeH?（锗烷）TeH?（碲化氢）(CH?)?Al（三甲基铝）(C?H?)?Al（三乙基铝）(CH?)?As（三甲基砷）(C?H?)?As（三乙基砷）

(CH?)?Hg（二甲基汞）(CH?)P（甲基磷）(C?H?)?P（三乙基磷）

SnCl?（四氯化锡）GeCl?（四氯化锗）SbCl?（五氯化锑）Si?H?（二硅烷）HCl（氯化氢）

三、蚀刻气体

通过在等离子体激发下生成反应性中间体（如F自由基、Cl自由基等），用于刻蚀不同的薄膜材料。常见气体有：

SiF?（四氟化硅）CF?（四氟化碳）C?F?（八氟丙烷）CHF?（三氟甲烷）

C?F?（六氟乙烷）CClF?（三氟一氯甲烷）O?（氧气）C?ClF?（五氟一氯乙烷）NF?（三氟化氮）SF?（六氟化硫）BCl?（三氯化硼）HFCl?（氯氟化氢）N?（氮气）He（氦气）Ar（氩气）Cl?（氯气）HCl（氯化氢）HF（氟化氢）HBr（氢溴酸）

四，离子注入气

用于离子注入工艺中的离子源材料：

AsF?（三氟化砷）PF?（三氟化磷）PH?（磷烷）BF?（三氟化硼）BCl?（三氯化硼）SiF?（四氟化硅）SF?（六氟化硫）H?（氢气）N?（氮气）

五：气相淀积气

用于CVD工艺中薄膜的生长：

SiHCl?（二氯硅烷）SiCl?（四氯化硅）NH?（氨气）NO（一氧化氮）

O?（氧气）NO2（二氧化氮）

六、稀释气

常用于掺杂、CVD或刻蚀中用于调控反应气浓度或传热：

N?（氮气）Ar（氩气）He（氦气）H?（氢气）CO?（二氧化碳）

N?O（一氧化二氮）O?（氧气）