SK海力士公布下一代NAND战略

SK海力士公布了其下一代NAND存储产品战略。该公司强调，通过推出针对人工智能（AI）应用优化的NAND解决方案，提升了数据处理速度并最大化了存储容量，这些解决方案在性能、带宽和容量方面均有提升。

SK海力士于10月27日在美国加州圣何塞举行的“2025 OCP全球峰会”上宣布了其下一代NAND存储产品战略。此次峰会于当地时间10月13日至16日举行。

SK海力士表示：“随着AI推理市场的快速增长，对能够快速高效处理大量数据的NAND存储产品的需求显著增长。因此，我们将构建‘AIN（AI-NAND）系列’产品线，以针对AI时代优化的解决方案满足客户需求。”

在峰会第二天，SK海力士副总裁金千成在高管会议上介绍了AIN系列产品。 AIN系列包含针对性能、带宽和密度优化的NAND解决方案，数据处理速度和存储容量均得到了提升。

AIN P是一种高效处理大规模AI推理环境中产生的海量数据输入/输出的解决方案，它最大限度地减少了AI运算和存储之间的瓶颈，从而提高了处理速度和能效。为此，SK海力士正在设计一种新的NAND和控制器架构，并计划于明年年底发布样品。

AIN D是一种高容量解决方案，专注于以低功耗和低成本存储海量数据，使其成为AI数据存储的理想选择。它旨在提供高达PB级容量的中端存储，超越现有的基于QLC的TB级SSD，同时兼具SSD的速度和HDD的经济性。

AIN B是一种通过堆叠NAND来增加带宽的解决方案。这是该公司“HBF?”技术的产品名称。 HBF 是一种通过堆叠 NAND 闪存构建的产品，类似于高带宽存储器 (HBM)，后者采用了 DRAM 的堆叠方法。

SK 海力士一直在积极研究 AIN B，以解决 AI 推理扩展和大型语言模型 (LLM) 规模不断增长所带来的内存容量短缺问题。其关键在于将高容量、低成本的 NAND 与堆叠式 HBM 架构相结合。该公司正在探索各种应用，包括将 AIN B 与 HBM 共置以解决容量限制问题。

为了扩展 AIN B 生态系统，SK 海力士与美国公司 SanDisk（该公司于 2018 年 8 月就 HBF 标准化签署了谅解备忘录 (MOU)）于10月 14 日在 OCP 活动场地附近的科技中心举办了“HBF 之夜”，邀请了全球科技巨头高管。据报道，此次活动旨在推动全行业合作，加速 NAND 存储产品的创新。

SK海力士首席开发官（CDO）Hyun Ahn表示：“通过本次OCP全球峰会和HBF之夜，我们得以展示SK海力士的现在和未来。在以AI为中心的快速变化的市场环境中，SK海力士已成长为‘全球AI存储解决方案提供商’。我们将继续与客户及各合作伙伴携手，在下一代NAND存储领域成为AI存储市场的关键参与者。”

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