MRFE6VP6600N 1.8-600 MHz RF功率数据手册

2023/04/25 作者：恩智浦

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MRFE6VP6600N 1.8-600 MHz RF功率数据手册

RF功率LDMOS 晶体管、高耐用性N型增强模式侧向MOSFET，这些高耐用性器件设计用于高VSWR的工业、医疗、广播、航空航天和移动无线电应用。其无与伦比的输入和输出设计使其能够在1.8至600 MHz的宽频率范围内使用。

特点

无与伦比的输入和输出，可实现广泛的频率范围利用
设备可单端使用或采用推挽配置
最大50 VDD运行限制
在30至50 V范围内进行扩展功率测试
适用于带有适当偏置的线性应用
集成ESD保护，具有更大的负栅源电压范围，以改善C类操作
通过串联等效大信号阻抗参数进行特性描述
推荐驱动器：AFT05MS004N（4 W）或MRFE6VS25N（25 W）

推荐器件

更多器件

器件型号	数量	器件厂商	器件描述	数据手册	ECAD模型	风险等级	参考价格	更多信息
BTA316Y-800CTQ	1	WeEn Semiconductor Co Ltd	Snubberless TRIAC,				$0.73	查看
43640-0201	1	Molex	Rectangular Power Connector, 2 Contact(s), Male, Plug,		ECAD模型下载ECAD模型		$0.25	查看
RE1201	1	Okaya Electric America Inc	RC Network,				$1.32	查看

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恩智浦半导体创立于2006年，其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部，总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案，实现智慧生活，安全连结。

恩智浦半导体创立于2006年，其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部，总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案，实现智慧生活，安全连结。收起

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