AFT09MS031NR1 宽带射频功率LDMOS晶体管-数据手册

2023/04/25 作者：恩智浦

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AFT09MS031NR1 宽带射频功率LDMOS晶体管-数据手册

AFT09MS031N和AFT09MS031GN是专为频率从764到941 MHz的移动双向无线电应用设计的。这些器件具有高增益、耐用性和宽带性能，非常适合在移动无线电设备中作为大信号、共源放大器应用的理想选择。

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C0603C103K5RAC7867	1	KEMET Corporation	Capacitor, Ceramic, Chip, General Purpose, 0.01uF, 50V, ±10%, X7R, 0603 (1608 mm), -55? ~ +125?C, 13" Reel		ECAD模型下载ECAD模型		$0.03	查看
9-160313-2	1	TE Connectivity	(9-160313-2) 250 PIDG FASTON REC		ECAD模型下载ECAD模型		$0.52	查看

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恩智浦半导体创立于2006年，其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部，总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案，实现智慧生活，安全连结。

恩智浦半导体创立于2006年，其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部，总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案，实现智慧生活，安全连结。收起

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