晶体管的高频等效模型

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图Section51-l来自于晶体管低顷等效模型，是对其实施改造而成：

其次，利用M(的b'点，弓丨入客观存在的两个电容：Cbe、Cbc。

第三，高频模型的输出受控电流源，不再受控于ib ,而受控于流过rb，e的电流；ib，e。至此，晶体管高频等效模型如图Secti〇n51-l所示。可以看出如下结论：

1)       随着输入信号频率的增高，在b、e两端具有不变信号电压情况下，流过rve 的电流会逐渐减小，导致^电流源和会逐渐减小。

2)       随着输入信号频率的增高，在相同的^电流源ibe情况下，真正的ic会减小。

这两个结论都表明，随着频率的上升，真正的ie会减小，连接成放大电路后，导致输出电压会随着频率升高而减小。

时，即为ib ,此模型就变成了低顷等效模型。因此，可以说图Section51-l模型是高低频通用模型。

更多的教材愿意用图Section51-2表示晶体管高频模型。它以rve两端的电压控制 输出^源，因此输出受控源的表达式变为：

。

其中：

可以看出，这两种形式没有本质区别。前者更容易与低模型配合理解，后者更通用。