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话题活动:发表GaN想法和感受,即可获得大奖(绝壁公正)

 

回答|共 503 个

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131#

liuxi

发表于 2016-7-18 22:16:17 | 只看该作者

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氮化镓半导体,让我们的生活提高了不止一个档次,它间接的推动了我们的智能生活,让我们在互通互联世界,就算远离他乡,也不能阻挡我们之间的联系。
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132#

小蜜蜂ww

发表于 2016-7-18 22:16:42 | 只看该作者

TGF2977-SM、TGF2978-SM 和 TGF2979-SM 是设计在 8-12GHz 频率波段中工作的优质 GaN 晶体管。Qorvo 业界领先的 GaN 技术与小型封装共同保证了高线性增益和功率效率。
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133#

卖萌娃

发表于 2016-7-18 22:16:58 | 只看该作者

Qorvo 出色的 GaN 解决方案已通过严格的热量和水分压力测试,因此产品可在严苛的环境下工作,这也为雷达制造商增添了信心
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134#

小蜜蜂ww

发表于 2016-7-18 22:17:07 | 只看该作者

氮化镓(GaN)功率半导体技术为提高RF/微波功率放大的性能水平作出了巨大贡献。 通过降低器件的寄生参数,以及采用更短的栅极长度和更高的工作电压,GaN晶体管已实现更高的输出功率密度、更宽的带宽和更好的DC转RF效率。
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135#

植物大战奥特曼

发表于 2016-7-18 22:17:28 | 只看该作者

为了使功率放大器产品(包括驱动器和前置驱动器级)维持高效率,最终Doherty放大器(3.5 GHz频段的绝佳选择)的增益需要尽量高。
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136#

熊孩子a

发表于 2016-7-18 22:17:41 | 只看该作者

在2014年,能支持8kW脉冲输出功率的GaN工艺的X波段放大器已被验证能在雷达系统应用中替代行波管(TWT)和TWT放大器。到2016年,预计会有很多这种支持32kW的固态GaN工艺的共V领放大器出现。在期待这些放大器的同时,我们将考察高功率GaN放大器的一些主要特征和特性。
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137#

bob1kong

发表于 2016-7-18 22:17:57 | 只看该作者

Qorvo 出色的 GaN 解决方案已通过严格的热量和水分压力测试,因此产品可在严苛的环境下工作,这也为雷达制造商增添了信心
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138#

熊孩子a

发表于 2016-7-18 22:18:13 | 只看该作者

此类器件有多家晶圆厂和器件制造商可以提供,通常采用100 mm碳化硅(SiC)晶圆制造。 硅上氮化镓工艺也在考虑当中,但硅的热导率和电导率相对较差,抵消了其在高性能、高可靠性应用中的成本优势。
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139#

fanyao-367090

发表于 2016-7-18 22:18:28 | 只看该作者

通过降低器件的寄生参数,以及采用更短的栅极长度和更高的工作电压,GaN晶体管已实现更高的输出功率密度、更宽的带宽和更好的DC转RF效率。
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140#

JonhLee

发表于 2016-7-18 22:18:40 | 只看该作者

随着栅极长度的缩短,基于GaN的SSPA将能支持更高的工作频率,因此会有越来越多的GaN器件用于工作在毫米波频率的系统
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