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话题活动:发表GaN想法和感受,即可获得大奖(绝壁公正)

 

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171#

Lumhao

发表于 2016-7-22 12:46:18 | 只看该作者

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设计非对称型Doherty功率放大器时必须格外谨慎,要确保Doherty功率放大器的AM-AM和AM-PM响应平滑且单调,这是配合DPD使用时的必要条件。
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172#

lukaisi

发表于 2016-7-22 12:46:32 | 只看该作者

在2014年,能支持8kW脉冲输出功率的GaN工艺的X波段放大器已被验证能在雷达系统应用中替代行波管(TWT)和TWT放大器。到2016年,预计会有很多这种支持32kW的固态GaN工艺的共V领放大器出现。在期待这些放大器的同时,我们将考察高功率GaN放大器的一些主要特征和特性。
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173#

yuxin-366840

发表于 2016-7-22 12:46:52 | 只看该作者

ADI公司的“比特转RF”计划将整合公司在基带信号处理和GaN功率放大器(PA)技术方面的优势。 通过使用预失真和包络调制等技术,这种整合将有利于提高PA线性度和效率。
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174#

莎啦啦

发表于 2016-7-22 12:46:59 | 只看该作者

基于GaN的器件已经在很大程度上取代了砷化镓(GaAs)和硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件。
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175#

RM爱好者

发表于 2016-7-22 12:47:11 | 只看该作者

恒值线在20 W平均功率(天线端)参考设计中同样采用了非对称型Doherty架构。
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176#

bob1kong

发表于 2016-7-22 12:47:22 | 只看该作者

扩大GaN在高功率应用中的使用的主要障碍是其制造成本相对较高,通常比GaAs高出两到三倍,比Si LDMOS器件高出五到七倍。 这阻碍了它在无线基础设施和消费者手持设备等成本敏感型应用中的使用。
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177#

咖啡墨

发表于 2016-7-22 12:47:36 | 只看该作者

氮化钾~现在除了做功率半导体PA之外.也可以做低噪放了~
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178#

咖啡墨

发表于 2016-7-22 12:47:46 | 只看该作者

GaN,即氮化镓,属六角纤锌矿结构。在T=300K时为,是半导体照明中发光二极管的核心组成部份。通常工业上采用MOCVD设备来生长。
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179#

咖啡墨

发表于 2016-7-22 12:47:55 | 只看该作者

为了使功率放大器产品(包括驱动器和前置驱动器级)维持高效率,最终Doherty放大器(3.5 GHz频段的绝佳选择)的增益需要尽量高。
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180#

sunkong

发表于 2016-7-22 12:48:05 | 只看该作者

3.4-3.6 GHz频段的视频带宽必须较高,因为100 MHz的信号带宽已纳入规划,而200 MHz则在讨论中。
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