图解Qorvo的GaN优势

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Qorvo 是全球领先的 GaN RF 供应商，自 1999 年起就一直在推动 GaN 研究和创新，提供经过检验的GaN电路可靠性和紧凑型、高效率产品。近几年 GaN 技术商用趋势越发明显，从下一代的国防和航天应用，到有线电视 (CATV)、VSAT、点对点 (PtP)、基站基础设施，Qorvo GaN 产品和技术优势尽显。



为了验证适用于毫米波FWA阵列的GaN FEM概念，Qorvo开发了新型GaN-on-SiC毫米波前端模块，实现更高效强大的基站，同时为新兴5G无线基础设施奠定基础。Qorvo的毫米波5G FEM关键优势众多，包括更小的外形尺寸，结合PA、LNA和开关，满足相位阵列栅格间距的要求，同时双通道能够实现双极化，提高放大器功率和效率，从而降低能量损耗，提高整体功率输出，实现更高效的散热，在28GHz和39GHz频率实现5G。减少天线阵列所需组件数量，支持更高的相位阵列EIRP水平，采用更高效强大的基站技术，优化当前和未来无线基础设施。


作为GaN-on-SiC技术的市场领导者，Qorvo从超过15年的研究，以及久经验证的市场可靠性中吸取经验，实现更高效的通信方式，协助连接和保护我们的世界。在国防和有线行业，GaN-on-SiC解决方案供应量全球第一！


此外，Qorvo GaN RF 产品可实现更小的尺寸并具备更高的可靠性，广泛用于民用船舶、航空和基础设施雷达系统中。


美国国防部用 MRL 来衡量供应商把产品顺利地从工厂转移到现场的能力，涉及运营成熟度、技术发展水平以及质量和制造管理。Qorvo 是达到制造成熟度（MRL）9 级的首家 GaN 供应商。Qorvo一直推动GaN产品的下一代系统创新(从直流到Ka频段)，提供可靠的性能、低维护和长运行寿命。

Qorvo 的所有 GaN 产品在 200°C 条件下的平均无故障时间（MTTF）均超过10^7h，还是能承受高加速应力测试（HAST）的器件。此项测试在 105°C、85% 相对湿度且大气压不超过 4 atm 的条件下对器件性能进行 96 小时的测量。

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