TA的每日心情 | 开心 2020-12-21 20:36 |
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秀才
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大咖解答:朋友你这个问题,有点多啊
1、GaN器件分为耗尽型和增强型的,一般射频用耗尽型,电力电子功率器件用增强型,所以不一定都是需要负压驱动
2、GaN和SiC的选取主要看电压的选择,GaN功率器件一般用在击穿电压<650V场景内,SiC用在>650V典型是1200V,2000V等场景下
3、驱动GaN器件的话需要适当的考虑驱动电路的带载能力以及切换的速度,硅器件的驱动电路没有GaN器件要求的高
4、市面上有用来测试充电器的USB测试表,主要看输出电压电流的稳定性,和转换效率,以及散热效果等手段
5、可以用示波器看驱动信号的波形,MOS管损坏的原因太多了,需要具体问题具体分析,一般是一步一步从大范围往局部慢慢排查
6、和传统器件有一样的地方也有不一样的地方,一样的地方例如击穿电压,饱和电流,导通电阻等,不一样的地方,栅极漏电,切换速度,动态导通电阻等
7、GaN器件工作温度在180°以内基本上都不存在问题,超过225°的话一般就要考虑适当的增加散热措施,注意我说的是器件的结温,不是充电器的外壳温度
8、据我所知,国内的GaN管(功率方向)近一年全球一下子涌出来不下十家品牌,而且还有大规模增加的趋势,所以这个问题我就不回答了 |
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