TA的每日心情 | 开心 2020-12-21 20:36 |
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秀才
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1、foundry的话:美国的wolfspeed、qorvo、NXP,法国的ommic、ums,日本的Sumitomo,中国台湾的win,中国的13所,55所,29所下的海威华芯,昆山能讯,厦门三安等,发展路线肯定是往降低成本方向走,例如6英寸硅衬底等
2、加工工艺可以看看我的视频,里面稍微有说到,工艺方面比较复杂,不过所有的工艺都是为了提供射频性能服务的,射频性能主要是更高的Ft,更高的增益,功率密度,效率
3、电力电子超过600V后面,主要是SiC更合适了,所以没必要去和SiC争地盘,哈哈
4、GaN器件电力电子主要是塑封qfn 5*5 6*6 8*8等封装,射频的话有塑封和陶瓷封装,军事用途的话还有金属封装
5、射频的话衬底主要是sic材料(导热好),目前瓶颈是6英寸衬底何时可以量产,大功率封装的话需要考虑热和电磁兼容,比较复杂,这个也是封装难题之一 |
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