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大咖问答21期:和卢益锋聊聊GaN器件在无线通信领域的应用

 

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21#

linghz

发表于 2020-12-11 00:17:23 | 只看该作者

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1、全球有哪些有名的GaN射频器件独立设计生产供应商?现在国内研究和生产的情况是怎么样的?以后发展路线是什么样的趋势?
2、目前典型的GaN射频器件的加工工艺是怎么样的?可以从哪些方面来改善?
3、目前GaN器件最高电压为600V,对于更高等级耐压的器件GaN从理论是否能够实现?存在的瓶颈是什么?
4、GaN器件主要由哪些封装可选?
5、GaN器件的衬底有哪些技术瓶颈?怎么把大功率基片集成在一个封装里?
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22#

dadaddy

发表于 2020-12-11 17:25:24 | 只看该作者

现在充电的瓶颈是充电器的功率还是电池充电的发热更难克服
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23#

火烽

发表于 2020-12-11 23:10:34 | 只看该作者

yang_alex 发表于 2020-12-10 23:26
卢工,氮化镓(GaN)器件目前国内厂商和国际厂商相比,有哪些优势和不足?国内有哪些比较好的厂家的氮化镓(Ga ...

1、优势:国内厂商不怕苦不怕累,夜以继日加班的更新换代...终于使在2019年初200块钱一个的快充成功降价到目前40元一个了...
2、不足:国内厂商起步晚,性能目前还是比国际的稍差一点,但是这么点差别,消费者是感觉不出来的...只希望国内厂商做的时候也要考虑下其他性能,例如楼上兄弟说是打火....
3、国内厂家现在IDM的较多,fabless的也很多,而且还在增加中,我不直接说谁好谁坏...怕得罪人
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24#

火烽

发表于 2020-12-11 23:18:09 | 只看该作者

yang_alex 发表于 2020-12-10 23:35
卢工,氮化镓(GaN)器件原来主要用于无线射频通讯产品中,目前感觉在电源产品中的应用越来越多了。这两种产 ...

1、最早的氮化镓是用在无线通信军事领域的,那个时候的氮化镓还非常非常贵...现在氮化镓无线通信主要用在5G基站和雷达中,但是看起来也没电源产品的量大....例如5G基站,一般是10年才换一次的,而消费电子市场,例如你的手机,一般2两年就换一次,另外想想看你家里的那么多AC转DC的电器都可以换成氮化镓芯片,且体积更小,效率更高...你说这个市场大不大....
2、射频的氮化镓是D-mode,耗尽型,门槛较高,成本也高;电力电子氮化镓一般用E-mode,门槛稍微低一点,但是市场巨大,所以越来越多公司在做这个,国人喜欢赚快钱,就是哪里容易赚钱,我就往哪里走...
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25#

火烽

发表于 2020-12-11 23:22:13 | 只看该作者

dadaddy 发表于 2020-12-11 17:25
现在充电的瓶颈是充电器的功率还是电池充电的发热更难克服

充电器的功率目前看不是大问题,目前主要是电池是瓶颈
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26#

火烽

发表于 2020-12-11 23:33:38 | 只看该作者

linghz 发表于 2020-12-11 00:17
1、全球有哪些有名的GaN射频器件独立设计生产供应商?现在国内研究和生产的情况是怎么样的?以后发展路线是 ...

1、foundry的话:美国的wolfspeed、qorvo、NXP,法国的ommic、ums,日本的Sumitomo,中国台湾的win,中国的13所,55所,29所下的海威华芯,昆山能讯,厦门三安等,发展路线肯定是往降低成本方向走,例如6英寸硅衬底等
2、加工工艺可以看看我的视频,里面稍微有说到,工艺方面比较复杂,不过所有的工艺都是为了提供射频性能服务的,射频性能主要是更高的Ft,更高的增益,功率密度,效率
3、电力电子超过600V后面,主要是SiC更合适了,所以没必要去和SiC争地盘,哈哈
4、GaN器件电力电子主要是塑封qfn 5*5 6*6 8*8等封装,射频的话有塑封和陶瓷封装,军事用途的话还有金属封装
5、射频的话衬底主要是sic材料(导热好),目前瓶颈是6英寸衬底何时可以量产,大功率封装的话需要考虑热和电磁兼容,比较复杂,这个也是封装难题之一
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27#

yang_alex

发表于 2020-12-14 16:18:56 | 只看该作者

火烽 发表于 2020-12-11 23:18
1、最早的氮化镓是用在无线通信军事领域的,那个时候的氮化镓还非常非常贵...现在氮化镓无线通信主要用在 ...

感谢卢工的回复。
目前小功率的电源用氮化镓的越来越多了,但大功率的电力电子设备中很少用,主要是耐压不足。请问卢工,后续氮化镓器件的耐压还可以再提升吗?谢谢卢工!
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28#

火烽

发表于 2020-12-14 21:08:56 | 只看该作者

yang_alex 发表于 2020-12-14 16:18
感谢卢工的回复。
目前小功率的电源用氮化镓的越来越多了,但大功率的电力电子设备中很少用,主要是耐压 ...

650V以内以GaN功率芯片为主,650V以上主要就是SiC的市场了。目前看是这样的
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29#

yang_alex

发表于 2020-12-14 23:15:02 | 只看该作者

卢工,目前氮化镓器件的工作频率比传统的MOSFET高,好处是可以降低磁性元器件的体积,把功率密度做高,坏处是频率高了,EMC电磁兼容设计难度就加大了,对产品的布局布线要求就高了。我想请教一下,现在有没有厂家把控制器、驱动器和氮化镓器件结合,做成模块,而不像传统分立器件?这样产品电磁兼容设计难度就可以降低了吧?
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30#

ALTIUM2

发表于 2020-12-15 00:15:14 | 只看该作者

火烽 发表于 2020-12-10 23:13
1、国内做氮化镓射频比较好的,应该就是13所,55所,苏州能讯,苏州远创达,和三安集成了吧,目前5G基站 ...

前期莫名其妙烧了好几个,优点小郁闷,关键都是很小心的在用,不过效率比传统的确实提升很多。期待新的应用。还想请教下,能不能分享一点应用中典型的问题介绍,下次设计时注意些
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