19GHz CMOS低噪声放大器的结构分析与设计

caroline11

摘 要 : 对低噪声放大器 (LNA) 的结构及性能进行了详细的分析。采用 SMIC 0. 18μm 射频CMOS 工艺 ,设计了用于 GSM1900 无线接收机系统的两种不同结构的差动式 LNA (电流复用式PMOS2NMOS LNA) 和典型的 NMOS LNA 。利用 Cadence2SpectreRF TM,对这两种结构的 LNA进行了电路级仿真和对比分析。结果表明 ,在功耗相近时 ,PMOS2NMOS LNA 能够提供比较大的电压增益 ,其噪声特性与 NMOS LNA 相近 ;NMOS LNA 在线性度以及芯片面积上有更多的优势。