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核心卖点? SiGe工艺巅峰性能? 4.8GHz超高工作频率?：采用硅锗（SiGe）双极工艺，专为电平转化/无线通信/雷达等超高速场景设计。 28fs rms积分随机抖动，相位噪声低至 ?-148dBc/Hz@1MHz偏移?，显著提升系统时序精度。 双通道可选差分输入?：支持CLK0/CLK1两组输入灵活切换（IN_SEL引脚控制），适应冗余时钟设计需求。
全集成终端设计? 片上100Ω差分终端电阻?：每个输入通道配备中心抽头终端，兼容直流耦合LVPECL/CML/3.3V CMOS及交流耦合LVDS/1.8V CMOS输入。 10路全摆幅LVPECL输出?：每路驱动能力达800mV（50Ω负载至VCC-2V），总差分摆幅1.6V，支持长距离传输。 工业级可靠性? 宽温工作?（-55°C至+125°C），40引脚LFCSP封装，外露焊盘（EPAD）直连VEE电源平面。 典型应用场景? 低抖动时钟分配 时钟和数据信号恢复 电平转换 无线通信 设计支持与资源? 免费提供?： 全差分端接方案（含戴维南终端、Y型端接等参考设计图） 高速PCB布局指南（重点涵盖电源旁路、传输线匹配、ESD防护等） 一键获取?：访问新弘途科技官网下载完整数据手册，或申请XHT-950A/B评估板。
技术讨论热点? 欢迎工程师同行探讨： SiGe工艺在超高频时钟芯片中的优势边界 多通道输出间的抖动一致性优化方案 工业环境下的时钟冗余设计实践 立即行动? 访问官网www.xinhongtutech.com下载完整数据手册，或直接联系销售团队定制解决方案！ 立即联系我们?：获取样品及完整解决方案！ 手机联系人：刘经理：13922811431 电话联系人：刘经理：0755-86713430 注?：本文内容基于深圳市新弘途科技有限公司发布的《XHT-950产品资料.pdf》编写，技术参数以官方文件为准。
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2025-08-07
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